型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。27191+￥41.234810+￥38.8689100+￥37.1113250+￥36.8409500+￥36.57051000+￥36.26632500+￥35.99595000+￥35.8269 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGH40T65UPD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装34421+￥233.680010+￥227.584050+￥222.9104100+￥221.2848200+￥220.0656500+￥218.44001000+￥217.42402000+￥216.4080 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。42525+￥13.975750+￥13.3784200+￥13.0439500+￥12.96031000+￥12.87672500+￥12.78125000+￥12.72147500+￥12.6617 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚42865+￥4.046025+￥3.746350+￥3.5365100+￥3.4466500+￥3.38662500+￥3.31175000+￥3.281710000+￥3.2368 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: HGTG12N60A4D系列 600 V 54 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-24719665+￥14.999450+￥14.3584200+￥13.9994500+￥13.90971000+￥13.82002500+￥13.71745000+￥13.65337500+￥13.5892 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120IHLWG 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚460310+￥8.7360100+￥8.2992500+￥8.00801000+￥7.99342000+￥7.93525000+￥7.86247500+￥7.804210000+￥7.7750 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB20N135IHRWG 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.2 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚33245+￥3.734125+￥3.457550+￥3.2639100+￥3.1809500+￥3.12562500+￥3.05645000+￥3.028810000+￥2.9873 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB20N120IHRWG 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.1 V, 384 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚30945+￥3.646425+￥3.376350+￥3.1872100+￥3.1062500+￥3.05212500+￥2.98465000+￥2.957610000+￥2.9171 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120SWG 单晶体管, IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚960710+￥6.4644100+￥6.1412500+￥5.92571000+￥5.91492000+￥5.87185000+￥5.81807500+￥5.774910000+￥5.7533 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor HGTG30N60B3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装68251+￥53.174910+￥50.1239100+￥47.8574250+￥47.5087500+￥47.16011000+￥46.76782500+￥46.41915000+￥46.2012 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGH30S130P N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1300 V, 3引脚 TO-247封装82925+￥33.623550+￥32.1866200+￥31.3819500+￥31.18071000+￥30.97962500+￥30.74975000+￥30.60607500+￥30.4623 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚87681+￥36.742710+￥34.6346100+￥33.0685250+￥32.8275500+￥32.58661000+￥32.31552500+￥32.07465000+￥31.9240 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB40N135IHRWG 单晶体管, IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚771410+￥11.4504100+￥10.8779500+￥10.49621000+￥10.47712000+￥10.40085000+￥10.30547500+￥10.229010000+￥10.1909 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB30N135IHRWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.3 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚94145+￥22.956650+￥21.9755200+￥21.4261500+￥21.28881000+￥21.15142500+￥20.99455000+￥20.89647500+￥20.7983 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.1 V, 333 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚43495+￥17.048150+￥16.3195200+￥15.9115500+￥15.80951000+￥15.70752500+￥15.59105000+￥15.51817500+￥15.4453 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1350V 30A 357000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube86555+￥13.927750+￥13.3325200+￥12.9992500+￥12.91581000+￥12.83252500+￥12.73735000+￥12.67787500+￥12.6182 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60FWG 单晶体管, IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚8827 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTG30N60FWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 引脚4693 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB20N120IHLWG 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.8 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚4555 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S1WG 单晶体管, IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 引脚3083 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTG30N60FLWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚7348 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。9891 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。1688 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB40N120SWG 单晶体管, IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚2693
